[삼성전자, 9만 전자 가능할까? - ③삼성의 12단 HBM3E가 하이닉스보다 뛰어난 이유는 무엇일까?] 삼성전자는 HBM에서 D램을 쌓을 때 각각의 칩 사이에 얇은 비전도성 필름(NCF)을 넣고 열로 압착하는 방식을 사용하여 칩과 칩 사이의 공간을 완전히 메울 수 있는 적층 공정으로, Advanced TC NCF 방식을 사용하고 있어요. 반면에 SK 하이닉스는 칩과 칩 사이를 액체 형태의 보호재를 주입하여 굳히는 방식인 MR-MUF 방식을 사용하고 있어요.